Вопрос 1
Электроника.dor_БАК_25-063-Б
Электроника.dor_БАК_25-063-Б — вариант 12
Просмотрите все вопросы и варианты бесплатно. Правильные ответы скрыты и открываются только после получения доступа.
Содержание теста
Вопросы и варианты
Без отметок и подсказок к правильным ответам
Быстрый поиск
Показано 14 вопросов
Найдите вопрос внутри теста
Ищем по тексту вопросов и вариантов ответа на этой странице.
По вашему запросу ничего не найденоПопробуйте сократить фразу или проверить написание.
Вопрос 2
В 1960-х годах произошло важное событие в истории электроники — были созданы устройства, которые стали основой для дальнейшего развития этой области. Какое событие связано с этим периодом?
Вопрос 3
В 1970-х годах, когда вычислительная техника стремительно развивалась, на рынке появилась потребность в более компактных и производительных устройствах для обработки данных. Ранее применяемые интегральные схемы и транзисторы занимали много места и требовали сложных конструкций для использования в компьютерах, что ограничивало их применение в различных областях, включая образование, бизнес и науку. Что было разработано фирмой Intel в этом промежутке времени?
Вопрос 4
Одним из основных параметров таких диодов является чувствительность по току (отношение приращения выпрямленного тока при заданной нагрузке в выходной цепи диода к мощности СВЧ-сигнала, подводимой ко входу диодной камеры с таким диодом в рабочем режиме и вызвавшей это приращение). Чувствительность по току этого диода зависит от постоянного прямого тока смещения. Наибольшие значения чувствительности по току обычно получаются при прямом токе смещения в несколько десятков микроампер. Назовите диод, о котором говорится в описании.
Вопрос 5
В таком диоде используется не р-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетические уровни, соответствующие зоне проводимости, в полупроводнике заполнены больше, чем в металле. Поэтому после соединения металла и полупроводника часть электронов перейдет из полупроводника в металл. Это приведет к уменьшению концентрации электронов в полупроводнике n-типа. Возникнет область полупроводника, обедненная свободными носителями электричества и обладающая повышенным удельным сопротивлением. В области перехода появятся объемные заряды и образуется потенциальный барьер, препятствующий дальнейшему переходу электронов из полупроводника в металл. Назовите диод, о котором говорится в описании.
Вопрос 6
В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, система обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов основывается на семизначном буквенно-цифровом коде. Что является первым элементом этого кода? Что он обозначает?
Вопрос 7
Классификация биполярных транзисторов осуществляется по нескольким критериям. Одним из основных признаков является рассеиваемая мощность. В зависимости от этого параметра, выделяют маломощные, средней мощности и мощные биполярные транзисторы. Укажите величину рассеиваемой мощности маломощных биполярных транзисторов.
Вопрос 8
В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, для идентификации биполярных транзисторов используется семизначный код, состоящий из букв и цифр. Что является последним, седьмым элементом этого кода? Что он обозначает?
Вопрос 9
У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки — 4В. Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
Вопрос 10
У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки – 4В. Чему равна крутизна при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
Вопрос 11
В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки равно 20 кОм. Эффективное входное сопротивление полевого транзистора составляет 20 кОм, а рабочая крутизна – 2 мА/В. Определите коэффициент усиления каскада?
Вопрос 12
В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз. Необходимо определить, какой будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.
Вопрос 13
В одном электронном устройстве датчик температуры генерирует сигнал с напряжением 0,5 В при температуре 20 °C и 4 В при температуре 100 °C. Определите коэффициент чувствительности этого датчика (мВ/°C)?
Вопрос 14