Ответы на тесты Электроника.dor_БАК_25-063-Б

интеллектуальными ; интеллектуальные

защита от перенапряжений

выбор конструкции печатной платы с целью оптимизации размещения проводников для уменьшения длины соединений и снижения индуктивности ; применение изолированных и заземлённых слоев способствует уменьшению паразитных емкостей и индуктивных связей, что приводит к снижению паразитных токов и локализации потенциальных проблем, связанных с индуктивностью ; применение индуктивных элементов, таких как фильтры, в электрических схемах помогает сделать переходные процессы более плавными и уменьшить скачки тока ; применение различных элементов управления и защиты, таких как дроссели, которые могут эффективно подавлять высокочастотные колебания и тем самым снижать негативное влияние паразитных индуктивностей. ; регулярное тестирование и анализ для выявления паразитных индуктивностей

электрод

Высокая мощность управления

структура полупроводникового материала ; температура, влияющая на подвижность носителей заряда ; величина обратного напряжения, приложенного к тиристору ; ток удержания

скорость

усиливает сигнал

подготовка кремниевой пластины ; выращивание эпитаксиального слоя ; Формирование геометрии затвора и истока ; имплантация примесей ; напыление слоя металлизации ; формирование области канала

следящего ; следящий

конденсатор

диод

фотодиодом ; фотодиод

проводить электрический ток в одном направлении и не пропускать его в обратном

Полевой

насыщения

практически отсутствует ток в цепи затвора

напряжения

прямоходовым ; прямоходовой

MOSFET

Электроника

1971 г.

Ионные электровакуумные = приборы, принцип действия которых основан на взаимодействии электронов с ионной плазмой, к ним относятся тиратроны, ионные разрядники, газоразрядные стабилитроны ; Электросветовые = приборы, у которых под воздействием входных электрических сигналов на выходах формируются световые сигналы ; Электронные электровакуумные = приборы, в которых рабочее пространство освобождено от воздуха и защищено от окружающей атмосферы газонепроницаемой оболочкой

диода ; диод

В зависимости от назначения = выпрямительные; импульсные; высокочастотные; сверхвысокочастотные; стабилитроны (опорные диоды); туннельные; варикапы; фотодиоды; светодиоды ; В зависимости от материала = германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые ; В зависимости от конструкции и технологии изготовления = плоскостные и точечные

транзистором ; транзистор

Эмиттер

Основной режим биполярного транзистора = активный (нормальный) режим, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии, а коллекторный – в закрытом ; Режим насыщения биполярного транзистора = режим, при котором оба перехода открыты ; Режим отсечки биполярного транзистора = режим, при котором оба перехода закрыты

обогащения

полупроводниковой структуруй

изучить схему и определить расположение транзистора, его подключение, а также резисторы и источники напряжения, и их связь с транзистором. ; рассчитать напряжения, необходимых для работы транзистора ; определить токи базы 〖(I〗_b), коллектора (I_c) и эмиттера (Ie) ; вычислить коэффициент усиления ; определить сопротивления

катодом ; катод

структура полупроводникового материала ; температура, влияющая на подвижность носителей заряда ; величина обратного напряжения, приложенного к тиристору ; ток удержания

активным

импульсные

подготовка кремниевой пластины ; выращивание эпитаксиального слоя ; формирование геометрии затвора и истока ; имплантация примесей ; напыление слоя металлизации ; формирование области канала

высокая надежность и производительность

микроконтроллеры

сбор данных ; обработка данных ; управляющее воздействие ; мониторинг и обратная связь ; анализ результатов и адаптация

длительность импульса

у импульсных устройств выше коэффициент полезного действия (КПД), потому что энергия не расходуется в промежутках между импульсами

контроллером ; контролер ; контролёром ; контролёр

конденсатор

Драйвер = микросхема управления, связывающая различные контроллеры и логические схемы с мощными транзисторами выходных каскадов преобразователей или устройств управления двигателями ; Драйвер нижнего ключа = специализированная микросхема для управления транзистором относительно уровня «земли», к ним относятся нижние ключи полумостовых и мостовых преобразователей, ключевые элементы обратноходовых, прямоходовых преобразователей, повышающих и инвертирующих импульсных стабилизаторов ; «Интеллектуальный» драйвер = устройство, которые обеспечивают полный комплекс защит для безопасной работы силового ключа

300 ; триста

Защитная цепь силового модуля = специальная цепь, которая обеспечивает безопасную работу силовых модулей, а также помогают предотвратить сбои, вызванные перенапряжением, перегрузкой по току, электростатическим разрядом, коротким замыканием и другими видами повреждений ; Снаббер = вспомогательная цепь формирования траектории переключения электронного прибора в динамических режимах и для уменьшения перенапряжений, снижения скорости нарастания тока или напряжения, уменьшения коммутационных потерь ; Короткое замыкание в силовой схеме = незапланированное соединение точек цепи с разными потенциалами между собой или с другими электроцепями из-за малого сопротивления

выбор конструкции печатной платы с целью оптимизации размещения проводников для уменьшения длины соединений и снижения индуктивности ; применение изолированных и заземлённых слоёв способствует уменьшению паразитных ёмкостей и индуктивных связей, что приводит к снижению паразитных токов и локализации потенциальных проблем, связанных с индуктивностью ; применение индуктивных элементов, таких как фильтры, в электрических схемах помогает сделать переходные процессы более плавными и уменьшить скачки тока ; применение различных элементов управления и защиты, таких как дроссели, которые могут эффективно подавлять высокочастотные колебания и тем самым снижать негативное влияние паразитных индуктивностей. ; регулярное тестирование и анализ для выявления паразитных индуктивностей

Дроссель

Ключ на биполярном транзисторе = транзисторный ключ, который служит для коммутации цепей нагрузки под воздействием внешних управляющих сигналов ; Ключ с резистивной нагрузкой = устройство, которое включает МДП-транзистор с индуцированным n-каналом, нагрузку-резистор, источник входного сигнала и источник напряжения ; Ключ на биполярном транзисторе с изолированным затвором = трехэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре

В Российской Федерации стандартная частота переменного электрического тока —50 Гц.

Диод Шоттки.

Последний, седьмой элемент – буква. Он характеризует классификацию по параметрам приборов единой технологии.

20.

интегральной микроэлектроникой

термоэлектрическими ; термоэлектрическим ; термоэлектрический ; термоэлектрические

1948 г.

драйвером ; драйвер

запираемым

Цифровой сигнал

импульсов

Интеллектуальные схемы

Амплитудно-импульсная модуляция (АИМ) = модуляция, при которой частота импульсов управления постоянна и соответствует периоду квантования по времени, а выходной сигнал модулируется импульсами управления различными по уровню (амплитуде) ; Частотно-импульсная модуляция (ЧИМ) = модуляция при которой изменяется частота переключения ключа, что соответствует изменению периода переключения ключа согласно значениям модулирующей функции, а длительность импульса при этом остается постоянной ; Широтно-импульсная модуляция (ШИМ) = модуляция при которой ключ переключается также с постоянной частотой, а длительность импульса управления изменяется в соответствии со значением модулирующей функции

Коллекторный

от 3 МГц до 30 МГц

До 300 мВт.