Тесты СинергияАртём Хелп
Артём Help онлайнПолучить расчёт
Бесплатно оценим сроки и стоимостьОтправить задание в Telegram
Силовая электроника.ои

Силовая электроника.ои

Просмотрите все вопросы и варианты бесплатно. Правильные ответы скрыты и открываются только после получения доступа.

250 вопросов Вариант 1 Доступ 7 дней
Содержание теста

Вопросы и варианты

Без отметок и подсказок к правильным ответам

Вопрос 1

Транзистор - это

  1. полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
  2. полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
  3. полупроводниковый частично управляемый прибор
  4. полупроводниковый неуправляемый прибор
Вопрос 2

В основе биполярного транзистора лежит

  1. трехслойная полупроводниковая структура
  2. четырехслойная полупроводниковая структура
  3. однослойная полупроводниковая структура
  4. двухслойная полупроводниковая структура
Вопрос 3

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

  1. база
  2. коллектор
  3. подложка
  4. эмиттер
Вопрос 4

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

  1. база
  2. коллектор
  3. подложка
  4. эмиттер
Вопрос 5

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

  1. индуктивном
  2. инверсном
  3. отсечки
  4. импульсном
Вопрос 6

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

  1. эмиттер-база - в прямом направлении
  2. коллектор-база - в обратном направлении
  3. эмиттер-база - в обратном направлении
  4. коллектор-база - в прямом направлении
Вопрос 7

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

  1. малой площади коллекторного p-n-перехода
  2. большой толщины базы
  3. малой толщины базы
  4. большой площади коллекторного p-n-перехода
Вопрос 8

В активном режиме работы биполярного транзистора

  1. выходной ток обратно пропорционален входному току
  2. выходной ток равен входному току
  3. выходной ток не зависит от входного тока
  4. выходной ток прямо пропорционален входному току
Вопрос 9

В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить

  1. источником тока эмиттера, управляемого током коллектора
  2. источником тока коллектора, управляемого током эмиттера
  3. источником тока коллектора, управляемого током базы
  4. источником тока эмиттера, управляемого током базы
Вопрос 10

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

  1. коллектор-база - в обратном направлении
  2. эмиттер-база - в прямом направлении
  3. эмиттер-база - в обратном направлении
  4. коллектор-база - в прямом направлении
Вопрос 11

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

  1. напряжение перехода коллектор – база меньше нуля
  2. напряжение перехода база – эмиттер равно нулю
  3. напряжение перехода коллектор – база равно нулю
  4. напряжение перехода база – эмиттер больше нуля
Вопрос 12

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

  1. току коллектора в граничном режиме
  2. току базы в граничном режиме
  3. току базы в насыщенном режиме
  4. току коллектора в насыщенном режиме
Вопрос 13

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

  1. коллектор-база - в обратном направлении
  2. эмиттер-база - в обратном направлении
  3. коллектор-база - в прямом направлении
  4. эмиттер-база - в прямом направлении
Вопрос 14

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

  1. напряжение между базой и коллектором равно нулю
  2. напряжение между базой и эмиттером равно нулю
  3. напряжение между базой и эмиттером меньше нуля
  4. напряжение между базой и коллектором меньше нуля
Вопрос 15

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

  1. замкнутым ключом
  2. источником тока коллектора, управляемого током базы
  3. источником тока эмиттера, управляемого током базы
  4. разомкнутым ключом
Вопрос 16

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить

  1. замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
  2. источником тока коллектора, управляемого током базы
  3. разомкнутым ключом
  4. источником тока эмиттера, управляемого током базы
Вопрос 17

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

  1. коллектор-база - в обратном направлении
  2. эмиттер-база - в прямом направлении
  3. коллектор-база - в прямом направлении
  4. эмиттер-база - в обратном направлении
Вопрос 18

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

  1. одинаковые свойства, но разные геометрические размеры
  2. различные свойства и геометрические размеры
  3. одинаковые свойства и геометрические размеры
  4. различные свойства, но одинаковые геометрические размеры
Вопрос 19

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

  1. в рабочей точке
  2. в инверсной точке
  3. в точке отсечки
  4. в точке насыщения
Вопрос 20

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в

  1. открытом состоянии и характеризуется очень малым током
  2. закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
  3. закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
  4. открытом состоянии и характеризуется очень большим током
Вопрос 21

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

  1. выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
  2. выделяемая мощность и выходное напряжение очень большие
  3. выделяемая мощность и выходное напряжение очень маленькие
  4. выделяемая мощность очень большая, а выходное напряжение очень низкое
Вопрос 22

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

  1. значительно больше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
  2. равны мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
  3. значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
  4. равны мощности потерь в рабочей точке инверсного режима транзистора
Вопрос 23

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся

  1. время спада тока коллектора
  2. максимально допустимый ток коллектора
  3. ток обратного смещенного коллекторного перехода
  4. время нарастания тока коллектора
Вопрос 24

Транзисторы Дарлингтона используют для

  1. увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
  2. уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
  3. уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
  4. увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
Вопрос 25

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

  1. сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
  2. произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
  3. разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
  4. отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Вопрос 26

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью

  1. электрического поля, перпендикулярного направлению тока
  2. электрического поля, параллельного направлению тока
  3. тока, перпендикулярного направлению напряжения
  4. тока, параллельного направлению напряжения
Вопрос 27

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

  1. не полностью управляемый прибор
  2. полностью управляемый током прибор
  3. неуправляемый прибор
  4. полностью управляемый электрическим полем прибор
Вопрос 28

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

  1. с неуправляющим p-n-переходом
  2. с проводимым затвором
  3. с управляющим p-n-переходом
  4. с изолированным затвором
Вопрос 29

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

  1. с проводным каналом
  2. со встроенным каналом
  3. с индуцированным каналом
  4. с проецированным каналом
Вопрос 30

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

  1. транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
  2. транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
  3. МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
  4. МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
Вопрос 31

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

  1. с общим затвором (ОЗ)
  2. с общим стоком (ОС)
  3. с общим истоком (ОИ)
  4. с общей базой (ОБ)
Вопрос 32

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

  1. с общей базой (ОБ)
  2. с общим истоком (ОИ)
  3. с общей подложкой (ОП)
  4. с общим стоком (ОС)
Вопрос 33

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

  1. продольным электрическим полем, а не током
  2. продольным током, а не электрическим полем
  3. поперечным током, а не электрическим полем
  4. поперечным электрическим полем, а не током
Вопрос 34

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

  1. исток
  2. подложку
  3. затвор
  4. сток
Вопрос 35

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

  1. равно нулю
  2. очень велико
  3. составляет единицы Ом
  4. составляет десятки Ом
Вопрос 36

Особенностью МОП-транзисторов является

  1. низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
  2. низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
  3. высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
  4. высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
Вопрос 37

К недостаткам МОП-транзисторов относится

  1. малое значение входной емкости
  2. большое значение входной емкости
  3. повышенное сопротивление в проводящем состоянии
  4. очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
Вопрос 38

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

  1. токов до 50 А и напряжения до 1000 В
  2. токов до 100 А и напряжения до 1500 В
  3. токов до 60 А и напряжения до 1100 В
  4. токов до 70 А и напряжения до 1200 В
Вопрос 39

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

  1. высокий уровень собственных шумов
  2. высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
  3. отсутствие вторичного пробоя
  4. низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
Вопрос 40

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

  1. с управляющим p-n-переходом
  2. со встроенным каналом
  3. с проводным каналом
  4. с индуцированным каналом
Вопрос 41

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

  1. входная емкость
  2. энергия потерь при включении
  3. максимально допустимый ток стока
  4. крутизна передаточной характеристики
Вопрос 42

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

  1. энергия потерь при выключении
  2. максимально допустимое напряжение затвор-исток
  3. выходная емкость
  4. максимально допустимый ток стока
Вопрос 43

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

  1. ток отсечки через запертый транзистор
  2. тепловое сопротивление переход - окружающая среда
  3. выходная емкость
  4. время нарастания тока стока
Вопрос 44

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

  1. тепловое сопротивление переход-корпус
  2. энергия потерь при включении
  3. крутизна передаточной характеристики
  4. время включения транзистора
Вопрос 45

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

  1. DМОП - структуры
  2. МОП - структуры
  3. МДП - структуры
  4. VМОП - структуры
Вопрос 46

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

  1. источник тока, управляемый напряжением на затворе
  2. сопротивление, управляемое напряжением на затворе
  3. источник тока, управляемый током на затворе
  4. сопротивление, управляемое током на затворе
Вопрос 47

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

  1. источник тока, управляемый током на затворе
  2. источник напряжения, управляемый напряжением на затворе
  3. источник напряжения, управляемый током на затворе
  4. источник тока, управляемый напряжением на затворе
Вопрос 48

Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются

  1. горизонтальные структуры с высоколегированной подложкой n+ - типа
  2. вертикальные структуры с высоколегированной подложкой n+ - типа
  3. горизонтальные структуры с низколегированной подложкой n- - типа
  4. вертикальные структуры с низколегированной подложкой n- - типа
Вопрос 49

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

  1. более высокое пробивное напряжение
  2. более высокое сопротивление открытого канала
  3. более низкое сопротивление открытого канала
  4. более низкое пробивное напряжение
Вопрос 50

Качество МДП - структуры тем выше, чем

  1. Качество МДП - структуры тем выше, чем
  2. больше паразитная емкость
  3. ниже крутизна передаточной характеристики
  4. выше крутизна передаточной характеристики
  5. меньше паразитная емкость
Вопрос 51

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

  1. три p-n-перехода
  2. два p-n-перехода
  3. один p-n-переход
  4. четыре p-n-перехода
Вопрос 52

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

  1. включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
  2. выключение осуществляется сигналом управления
  3. включение осуществляется сигналом управления
  4. выключение – при спаде тока через прибор до нуля
Вопрос 53

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

  1. симистор
  2. асимметричный (обычный) тиристор SCR
  3. интегрируемый запираемый тиристор IGTC
  4. фототиристор
Вопрос 54

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

  1. полевой тиристор МСТ
  2. оптотиристор
  3. фототиристор
  4. тиристор GTC
Вопрос 55

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

  1. системы бесперебойного питания
  2. статические компенсаторы
  3. управляемые выпрямители тока
  4. преобразователи переменного напряжения
Вопрос 56

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

  1. управляемых выпрямителей тока
  2. регулируемых электроприводов переменного тока
  3. мощных источников питания электрических подстанций
  4. преобразователей переменного напряжения
Вопрос 57

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

  1. три слоя с разным типом проводимости
  2. пять слоев с разным типом проводимости
  3. четыре слоя с разным типом проводимости
  4. два слоя с разным типом проводимости
Вопрос 58

В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,

  1. переходы П1 и П3 смещаются в прямом направлении
  2. переход П2 смещается в обратном направлении
  3. переходы П1 и П3 смещаются в обратном направлении
  4. переход П2 смещается в прямом направлении
Вопрос 59

Для включения тиристора SCR необходимо

  1. подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
  2. снизить анодный ток до минимальной величины
  3. подать положительное напряжение между анодом и катодом
  4. подать импульс управления на управляющий электрод
Вопрос 60

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

  1. время включения тиристора
  2. время запаздывания обратного напряжения
  3. время нарастания
  4. время установления
Вопрос 61

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся

  1. время нарастания
  2. время запаздывания обратного напряжения
  3. время выключения
  4. время установления
Вопрос 62

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

  1. от 10 до 100 А/мкс
  2. от 1 до 100 А/мкс
  3. от 1 до 10 А/мкс
  4. от 10 до 1000 А/мкс
Вопрос 63

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

  1. максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
  2. энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
  3. напряжение лавинного пробоя
  4. ударный ток
Вопрос 64

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

  1. максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
  2. ударный ток
  3. напряжение лавинного пробоя
  4. напряжение переключения тиристора
Вопрос 65

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

  1. вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
  2. не изменяется
  3. увеличивается до 1 и потом остается неизменным
  4. вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
Вопрос 66

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

  1. уменьшается до нуля
  2. возрастает
  3. не изменяется вообще
  4. вначале уменьшается, а потом увеличивается
Вопрос 67

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

  1. вначале увеличивается, а потом уменьшается
  2. вначале уменьшается, а потом увеличивается
  3. увеличивается до 1
  4. не изменяется
Вопрос 68

Симистор – это тиристор, который может

  1. пропускать ток только в одном направлении
  2. пропускать ток в обоих направлениях
  3. не пропускать ток в обоих направлениях
  4. не пропускать ток только в одном направлении
Вопрос 69

Конструктивно симистор представляет собой

  1. объединение двух встречновключенных тиристоров
  2. объединение трех встречновключенных тиристоров
  3. объединение двух прямовключенных тиристоров
  4. объединение трех прямовключенных транзисторов
Вопрос 70

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

  1. только в прямом направлении
  2. в прямом направлении
  3. в обратном направлении
  4. только в обратном направлении
Вопрос 71

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

  1. имеющий трехслойную структуру
  2. управляемый электрическими импульсами
  3. имеющий четырехслойную структуру
  4. управляемый световыми импульсами
Вопрос 72

Оптотиристор – это

  1. тиристор со встроенным в него светоизлучателем
  2. фототиристор со встроенным в него светоприемником
  3. тиристор со встроенным в него светоприемником
  4. фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
Вопрос 73

Запираемый тиристор GTO

  1. управляется сигналами одной полярности
  2. управляется сигналами различной полярности
  3. коммутируется интегральной схемой управления
  4. коммутируется заданной серией импульсов
Вопрос 74

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

  1. быстрое включение
  2. быстрое выключение
  3. медленное выключение
  4. низкая скорость нарастания запирающего тока
Вопрос 75

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

  1. встроенный светоизлучатель
  2. встроенный светоприемник
  3. импульсная схема управления
  4. интегральная схема управления
Вопрос 76

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

  1. транзисторы со статической индукцией
  2. биполярные транзисторы с изолированным затвором
  3. симистор
  4. полевой тиристор МСТ
Вопрос 77

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

  1. токи до 4 кА при напряжении до 5 кВ
  2. токи до 5 кА при напряжении до 2 кВ
  3. токи до 3,6 кА при напряжении до 6,5 кВ
  4. токи до 3 кА при напряжении до 8 кВ
Вопрос 78

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

  1. малое потребление по цепи управления
  2. не полное управление
  3. полное управление
  4. высокое быстродействие
Вопрос 79

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

  1. входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
  2. входного биполярного n-p-n-транзистора
  3. выходного биполярного n-p-n-транзистора
  4. выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
Вопрос 80

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

  1. полевого транзистора с горизонтальным каналом
  2. униполярного транзистора
  3. полевого транзистора с вертикальным каналом
  4. биполярного транзистора
Вопрос 81

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

  1. дополнительным слоем полупроводника n-типа
  2. дополнительным слоем полупроводника p-типа
  3. дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
  4. дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
Вопрос 82

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

  1. p-n-переход
  2. униполярный транзистор
  3. биполярный транзистор
  4. n-p-переход
Вопрос 83

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

  1. n-p-n-типа
  2. p-n-p-типа
  3. p-n-p-n-типа
  4. n-p-n-p-типа
Вопрос 84

Ток стока IGBT транзистора

  1. обратно пропорционален эквивалентной крутизне
  2. обратно пропорционален напряжению на затворе
  3. прямо пропорционален эквивалентной крутизне
  4. прямо пропорционален напряжениюна затворе
Вопрос 85

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

  1. прямо пропорциональна напряжению на затворе
  2. прямо пропорциональна току коллектора
  3. обратно пропорциональна напряжению на затворе
  4. обратно пропорциональна току коллектора
Вопрос 86

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

  1. высокое входное сопротивление
  2. меньшее напряжение в открытом состоянии
  3. высокие частотные характеристики
  4. низкий ток коммутации
Вопрос 87

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

  1. наличие участка вторичного пробоя
  2. высокая температурная устойчивость
  3. низкая температурная устойчивость
  4. отсутствие участка вторичного пробоя
Вопрос 88

Быстродействие IGBT транзистора

  1. выше быстродействия полевых транзисторов
  2. ниже быстродействия полевых транзисторов
  3. выше быстродействия биполярных транзисторов
  4. ниже быстродействия биполярных транзисторов
Вопрос 89

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

  1. коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
  2. коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
  3. затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
  4. затвором и коллектором при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
Вопрос 90

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

  1. затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
  2. затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
  3. коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
  4. коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
Вопрос 91

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает

  1. биполярный транзистор с изолированным затвором
  2. полевой транзистор с изолированным затвором
  3. асинхронный тиристор
  4. биполярный транзистор
Вопрос 92

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

  1. полевой транзистор с изолированным затвором
  2. асинхронный тиристор
  3. биполярный транзистор с изолированным затвором
  4. биполярный транзистор
Вопрос 93

IGBT транзистор не находит применение в области

  1. высоких напряжений
  2. высоких частот
  3. высоких мощностей
  4. высоких токов коммутации
Вопрос 94

Высокой температурной устойчивостью не обладает

  1. полевой транзистор с изолированным затвором
  2. биполярный транзистор с изолированным затвором
  3. IGBT транзистор
  4. биполярный транзистор
Вопрос 95

В транзисторе IGBT сочетается

  1. высокое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
  2. высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой
  3. малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
  4. низкое входное сопротивление МОП-транзистора с низкой токовой нагрузкой
Вопрос 96

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при

  1. обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
  2. прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
  3. прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
  4. обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
Вопрос 97

SIT транзисторы производятся с каналами

  1. только p-типа
  2. только n-типа
  3. n-типа
  4. p-типа
Вопрос 98

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

  1. имеет горизонтальную структуру
  2. является многоканальным
  3. имеет вертикальную структуру
  4. является одноканальным
Вопрос 99

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

  1. напряжение отсечки равно нулю
  2. напряжение отсечки имеет отрицательное значение
  3. при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
  4. при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
Вопрос 100

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

  1. более низкое быстродействие
  2. более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
  3. более высокое быстродействие
  4. более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
Вопрос 101

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

  1. энергии
  2. информации
  3. тока
  4. напряжения
Вопрос 102

К аппаратам низкого напряжения не относятся

  1. аппараты управления и защиты
  2. аппараты автоматического регулирования
  3. шунтирующие реакторы
  4. аппараты автоматики
Вопрос 103

К аппаратам высокого напряжения не относятся

  1. выключатели высокого напряжения
  2. аппараты автоматического регулирования
  3. токоограничивающие реакторы
  4. шунтирующие реакторы
Вопрос 104

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

  1. выключатели высокого напряжения
  2. шунтирующие реакторы
  3. токоограничивающие реакторы
  4. ограничители перенапряжений
Вопрос 105

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

  1. разъединители и отделители
  2. ограничители перенапряжений
  3. шунтирующие реакторы
  4. разделительные трансформаторы
Вопрос 106

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

  1. токоограничивающие реакторы
  2. разъединителя и отделители
  3. разделительные трансформаторы
  4. шунтирующие реакторы
Вопрос 107

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является

  1. преобразователь частоты
  2. инвертор
  3. выпрямитель
  4. регулятор переменного значения
Вопрос 108

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

  1. инвертор
  2. преобразователь числа фаз
  3. выпрямитель
  4. трансформатор
Вопрос 109

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является

  1. преобразователь числа фаз
  2. выпрямитель
  3. трансформатор
  4. преобразователь частоты
Вопрос 110

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

  1. оперативный обмен с внешней средой
  2. регулирование значений выходных параметров
  3. диагностику отказов
  4. передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
Вопрос 111

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

  1. преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
  2. преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
  3. формирование сигналов управления силовой частью
  4. осуществление оперативного обмена с внешней средой
Вопрос 112

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

  1. УКД – устройство контроля и диагностики
  2. КА – блок коммутационной аппаратуры
  3. ФИУ – формирователь импульсов управления
  4. БОИ – блок обработки информации
Вопрос 113

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

  1. Д – блок датчиков
  2. БОИ – блок обработки информации
  3. ФИУ – формирователь импульсов управления
  4. КА – блок коммутационной аппаратуры
Вопрос 114

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

  1. транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
  2. обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
  3. транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
  4. транслироваться в блок датчиков Д
Вопрос 115

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

  1. в какое состояние перейдет устройство
  2. в каком состоянии находится устройство
  3. о режимах работы устройства
  4. о причинах срабатывания устройств защиты или отключения
Вопрос 116

Не существует следующего вида модуляций

  1. амплитудно-импульсная
  2. дискретно-импульсная
  3. частотно-импульсная
  4. фазо-импульсная
Вопрос 117

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

  1. импульсные
  2. цифровые
  3. непрерывные
  4. релейные
Вопрос 118

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

  1. дискретным системам
  2. непрерывным системам
  3. нелинейным системам
  4. линейным системам
Вопрос 119

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

  1. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
  2. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
  3. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
  4. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
Вопрос 120

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

  1. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
  2. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
  3. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
  4. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
Вопрос 121

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

  1. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
  2. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
  3. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
  4. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
Вопрос 122

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

  1. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
  2. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
  3. период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
  4. период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
Вопрос 123

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

  1. низкая частота коммутации
  2. зависимость частоты коммутации от входного напряжения
  3. зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
  4. низкие динамические характеристики
Вопрос 124

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

  1. режим напряжения с ограничением средней нагрузки по току
  2. режим напряжения с межимпульсным ограничением нагрузки по току
  3. токовый режим с выключением по тактовому сигналу
  4. гистерезисный токовый режим
Вопрос 125

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

  1. биполярные транзисторы
  2. силовые МОП-транзисторы
  3. биполярные транзисторы с изолированным затвором
  4. асинхронные тиристоры
Вопрос 126

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

  1. частоте питающего напряжения
  2. форме сигнала управления
  3. форме питающего напряжения
  4. мощности сигнала управления
Вопрос 127

Принципы построения ФИУ не зависят от

  1. типа управляемого полупроводникового прибора
  2. статических свойств полупроводникового прибора
  3. конструктивного исполнения полупроводникового прибора
  4. динамических свойств и характеристик полупроводникового прибора
Вопрос 128

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

  1. раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала
  2. совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
  3. раздельная передача энергии и информационного сигнала
  4. совместная передача тока и информационного сигнала
Вопрос 129

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

  1. свободное протекание коллекторного тока через насыщенный транзистор с минимальными потерями
  2. гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока базы
  3. минимальный ток утечки через закрытый транзистор в режиме отсечки
  4. гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
Вопрос 130

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

  1. высокочастотного трансформатора
  2. непосредственной гальванической связи
  3. оптронной развязки
  4. оптоволоконной системы передачи
Вопрос 131

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

  1. постоянный ток затвора управления транзистором при изменении тока нагрузки
  2. постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки
  3. пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
  4. пропорциональное изменение тока затвора транзистора с изменением тока нагрузки
Вопрос 132

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

  1. чтобы ФИУ соответствовал источнику тока, а не напряжения
  2. обеспечить резкое увеличение базового тока после включения биполярного транзистора
  3. использовать нелинейную обратную связь между входом и выходом
  4. выключать транзистор импульсом прямого тока базы
Вопрос 133

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

  1. одновременно переходят в режим отсечки при отсутствии управляющего сигнала
  2. одновременно переходят в режим насыщения при поступлении управляющего импульса
  3. при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
  4. при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки
Вопрос 134

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

  1. увеличения мощности, потребляемой ФИУ
  2. повышения частотных характеристик ФИУ
  3. снижения частотных характеристик ФИУ
  4. снижения мощности, потребляемой ФИУ
Вопрос 135

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

  1. высокую помехозащищенность передачи
  2. возможность передачи непрерывных сигналов информации
  3. высокий коэффициент передачи тока
  4. высокую температурную стабильность параметров
Вопрос 136

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

  1. низкий коэффициент передачи тока
  2. температурная нестабильность параметров
  3. большая задержка передачи сигналов
  4. потенциальная развязки информационного сигнала
Вопрос 137

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

  1. от 10 до 20 А
  2. от 20 до 40 мА
  3. от 10 до 20 мА
  4. от 20 до 40 А
Вопрос 138

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

  1. порядка 0,1 А
  2. порядка 0,5 А
  3. порядка 0,3 А
  4. порядка 0,2 А
Вопрос 139

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

  1. путем размыкания его базовой цепи
  2. путем размыкания его эмиттерной цепи
  3. путем размыкания его коллекторной цепи
  4. путем размыкания его затворной цепи
Вопрос 140

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

  1. режим подачи отрицательного напряжения для обратного смещения эмиттерного перехода
  2. режим формирования фиксированного отрицательного тока базы
  3. режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода
  4. режим ограничения скорости нарастания запирающего тока базы
Вопрос 141

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

  1. фиксированным отрицательным током базы
  2. отрицательным напряжением обратного смещения
  3. ограничением скорости нарастания запирающего тока
  4. с форсирующей скоростью нарастания запирающего тока
Вопрос 142

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

  1. высоковольтный быстродействующий МДП-транзистор
  2. высоковольтный быстродействующий биполярный транзистор
  3. низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
  4. низковольтный быстродействующий биполярный транзистор
Вопрос 143

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

  1. полевые транзисторы с изолированным затвором
  2. биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
  3. силовые биполярные транзисторы
  4. СИТ - транзисторы
Вопрос 144

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

  1. высокое входное сопротивление затвора
  2. высокие динамические характеристики
  3. низкое входное сопротивление затвора
  4. низкая потребляемая мощность
Вопрос 145

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

  1. для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
  2. для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
  3. для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
  4. для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
Вопрос 146

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

  1. высокий уровень выходного тока драйвера
  2. низкая рассеиваемая мощность в драйвере
  3. ограниченный выходной ток драйвера
  4. оптимизация разводки печатной платы
Вопрос 147

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

  1. зависимость амплитуды импульса управления от скважности
  2. независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
  3. зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
  4. независимость амплитуды импульса управления от скважности
Вопрос 148

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

  1. шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
  2. быстродействующий диод
  3. низкочастотный диод
  4. шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
Вопрос 149

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

  1. прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
  2. прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
  3. обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
  4. обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
Вопрос 150

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

  1. обеспечение минимальной начальной площади импульса включения тиристора
  2. обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
  3. минимальная длительность импульса управления
  4. нахождение рабочей точки нагрузки управляющего электрода в зоне оптимального управления
Вопрос 151

Система управления электронными ключами не предназначена для

  1. выработки специальных сигналов управления с определенными параметрами
  2. изменения состояния силовых электронных ключей по определенному алгоритму
  3. преобразования переменного напряжения в постоянное
  4. выработки информации о состоянии преобразователя
Вопрос 152

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

  1. функционального назначения преобразовательных устройств
  2. конструкции преобразовательного устройства
  3. типа преобразовательных устройств
  4. элементной базы электронных ключей
Вопрос 153

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями

  1. горизонтальный
  2. частотно-импульсный
  3. фазоимпульсный
  4. вертикальный
Вопрос 154

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

  1. фазосдвигающее устройство (ФСУ)
  2. нуль-орган (НО)
  3. генератора пилообразного напряжения (ГПН)
  4. компаратор (К)
Вопрос 155

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе

  1. управляемых транзисторных генераторов
  2. импульсных трансформаторов
  3. R-L-Сцепей
  4. интегральных микросхем
Вопрос 156

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

  1. ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
  2. полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
  3. трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
  4. сравнивающего устройства в интегральном исполнении
Вопрос 157

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

  1. через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
  2. через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
  3. через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
  4. на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
Вопрос 158

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

  1. вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
  2. через устройство синхронизации С на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
  3. через устройство синхронизации С на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
  4. непосредственно поступает на вход ФИУ
Вопрос 159

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

  1. произведению фазности на число периодов выпрямителя
  2. числу периодов выпрямителя
  3. фазности выпрямителя
  4. сумме фазности и числа периодов выпрямителя
Вопрос 160

Пульсность выпрямителя

  1. обратно пропорциональна частоте пульсации
  2. прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
  3. прямо пропорциональна частоте пульсации
  4. обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
Вопрос 161

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

  1. фазосдвигающее устройство (ФСУ)
  2. нуль-орган (НО)
  3. генератор пилообразного напряжения (ГПН)
  4. компаратор (К)
Вопрос 162

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

  1. один генератор пилообразного напряжения
  2. один синхронизатор
  3. три синхронизатора
  4. три генератора пилообразного напряжения
Вопрос 163

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

  1. в три раза превышает частоту питающей сети
  2. равна частоте питающей сети
  3. в три раза меньше частоты питающей среды
  4. в шесть раз превышает частоту питающей среды
Вопрос 164

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

  1. генератора пилообразного напряжения (ГПН)
  2. формирователя импульсов сигналов (ФИУ)
  3. компаратора (К)
  4. устройства синхронизации (С)
Вопрос 165

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

  1. в шесть раз превышает частоты питающей сети
  2. в три раза меньше частоты питающей сети
  3. равна частоте питающей сети
  4. в три раза превышает частоту питающей сети
Вопрос 166

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

  1. 2π / 3
  2. π / 6
  3. π / 2
  4. π / 3
Вопрос 167

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

  1. иметь отрицательную обратную связь
  2. быть замкнутой
  3. быть открытой
  4. иметь положительную обратную связь
Вопрос 168

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

  1. переводит ключ (К) в открытое состояние
  2. включает в работу генератор эталонной частоты (ГЭЧ)
  3. обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)
  4. включает в работу распределитель импульсов (РИ)
Вопрос 169

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

  1. в шесть раз меньше выходной частоты инвертора
  2. в три раза превышает выходную частоту инвертора
  3. в шесть раз превышает выходную частоту инвертора
  4. равна выходной частоте инвертора
Вопрос 170

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

  1. два распределителя импульсов (РИ)
  2. четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
  3. два формирователя импульсов управления (ФИУ)
  4. один распределитель импульсов (РИ)
Вопрос 171

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

  1. в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
  2. в два раза превышает выходную частоту инвертора
  3. в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
  4. в два раза меньшей выходной частоты инвертора
Вопрос 172

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

  1. только в выпрямительном режиме
  2. только в инверторном режиме
  3. в инверторном режиме
  4. в выпрямительном режиме
Вопрос 173

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

  1. две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
  2. две системы управления инверторным режимом (СУИР)
  3. три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
  4. три системы управления инверторным режимом (СУИР)
Вопрос 174

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

  1. прямо пропорционален периоду следования импульсов
  2. прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа
  3. обратно пропорционален периоду следования импульсов
  4. обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа
Вопрос 175

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

  1. контур отрицательной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
  2. контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
  3. контур положительной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
  4. контур положительной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
Вопрос 176

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

  1. характер подключенной нагрузки
  2. коммутационные процессы
  3. воздействие питающей сети
  4. короткое замыкание цепи нагрузки
Вопрос 177

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

  1. внутренние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
  2. внутренние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
  3. внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
  4. внешние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
Вопрос 178

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

  1. повреждение силового ключа
  2. накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
  3. влияние паразитных элементов схемы и монтажа
  4. рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
Вопрос 179

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

  1. со значительной емкостной составляющей
  2. с малой индукционной составляющей
  3. с большой индукционной составляющей
  4. с малой емкостной составляющей
Вопрос 180

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

  1. снабберы, включаемые последовательно силовому ключу или группе приборов
  2. снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
  3. снабберы, включаемые последовательно нагрузке
  4. снабберы, включаемые параллельно нагрузке
Вопрос 181

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

  1. дополнительные элементы, обеспечивающие снятие накопленной энергии
  2. снабберы, включаемые параллельно ключу
  3. снабберы, включаемые последовательно с ключом
  4. дополнительные элементы, шунтирующие нагрузку
Вопрос 182

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

  1. работа на противофазный диод
  2. повреждение силового ключа
  3. влияние паразитных элементов монтажа
  4. «опрокидывание» инвертора
Вопрос 183

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

  1. подключение внешних дополнительных защитных устройств
  2. повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
  3. определение момента перегрузки и подключение системы защиты
  4. уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
Вопрос 184

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

  1. магнитные выключатели
  2. плавкие предохранители общего назначения
  3. быстродействующие плавкие предохранители
  4. биметаллические выключатели
Вопрос 185

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

  1. скрученных витых пар проводников
  2. многожильных проводов
  3. одножильных проводов
  4. проводников в виде металлических пластин
Вопрос 186

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

  1. повышают уровень индуктивной связи между проводниками
  2. гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
  3. уменьшают индуктивную связь между проводниками
  4. повышают уровень емкостной связи между цепями
Вопрос 187

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

  1. изолированное питание каждого драйвера относительно общей точки силовой схемы
  2. расположение драйвера как можно ближе к входной цепи силового ключа
  3. увеличение площади соединительных контуров
  4. изолированный источник для каждого силового ключа
Вопрос 188

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

  1. используют сигнальные проводники в виде витых пар
  2. удаляют сигнальные проводники дальше от силовых шин
  3. приближают сигнальные проводники к силовым шинам
  4. экранируют сигнальные проводники
Вопрос 189

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

  1. обратный шунтирующий диод
  2. резистор
  3. конденсатор
  4. стабилитрон
Вопрос 190

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

  1. фронта нарастания силового тока
  2. величины дополнительной индуктивности
  3. типа транзистора
  4. величины защитной емкости
Вопрос 191

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

  1. величины дополнительной индуктивности
  2. величины защитной емкости
  3. фронта нарастания силового напряжения
  4. типа транзистора
Вопрос 192

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

  1. увеличивать параметр M и уменьшать параметр N
  2. одновременно увеличивать параметры M и N
  3. увеличивать параметр N и уменьшать параметр M
  4. одновременно уменьшать параметры M и N
Вопрос 193

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

  1. наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
  2. наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
  3. изменение формы коммутируемых токов и напряжений
  4. наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
Вопрос 194

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

  1. улучшаются частотные и динамические свойства прибора
  2. снижается мощность потерь
  3. ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
  4. возрастает мощность потерь
Вопрос 195

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

  1. обратно пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
  2. прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
  3. обратно пропорционален числу витков дросселя
  4. прямо пропорционален числу витков дросселя
Вопрос 196

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

  1. последовательно включают демпфирующую RCD - цепь
  2. параллельно включают демпфирующую RLC - цепь
  3. параллельно включают демпфирующую RCD - цепь
  4. последовательно включают демпфирующую RLC - цепь
Вопрос 197

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

  1. соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
  2. перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы
  3. последовательно с силовым ключом
  4. параллельно силовому ключу
Вопрос 198

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

  1. запускает таймер для отсчета времени, включения рестарта элементов системы
  2. формирует сигнал индикации короткого замыкания
  3. запрещает выработку драйвером импульсов управления силовым ключом
  4. управляет работой компаратора
Вопрос 199

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

  1. силовые ключи с встроенными системами защиты
  2. силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
  3. силовые ключи с внешними системами защиты и управления
  4. силовые интеллектуальные модули
Вопрос 200

Главным достижением развития современных силовых ключей является

  1. объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
  2. объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
  3. объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
  4. объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
Вопрос 201

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

  1. биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
  2. тиристоры (SCR)
  3. биполярные и МОП-транзисторы
  4. симисторы (триаки)
Вопрос 202

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

  1. модули на полевых транзисторах (IGBT, MCT)
  2. биполярные и МОП-транзисторы
  3. мощные полевые транзисторы (MOSFET)
  4. запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
Вопрос 203

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

  1. сварочных аппаратах
  2. робототехнике
  3. печах СВЧ
  4. линиях электропередач
Вопрос 204

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

  1. электротранспорт
  2. линии электропередач
  3. кондиционеры
  4. холодильники
Вопрос 205

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют

  1. запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
  2. модули на биполярных транзисторах
  3. биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
  4. мощные полевые транзисторы (MOSFET)
Вопрос 206

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

  1. мощные полевые транзисторы (MOSFET)
  2. модули на биполярных транзисторах
  3. запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
  4. симисторы (триаки)
Вопрос 207

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

  1. автоэлектронике
  2. сварочных аппаратах
  3. аудиотехнике
  4. видеотехнике
Вопрос 208

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

  1. низкое быстродействие переключения
  2. низкий уровень коммуникационных потерь
  3. высокий уровень коммуникационных потерь
  4. высокое быстродействие переключения
Вопрос 209

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

  1. источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
  2. источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
  3. источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
  4. источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
Вопрос 210

В резонансных силовых преобразователях

  1. паразитные элементы не являются составной частью резонансного LC-контура
  2. коммутация силовых ключей выполняется либо при положительном напряжении, либо при отрицательном токе
  3. коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе
  4. паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
Вопрос 211

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

  1. при положительном значении напряжения
  2. при нулевом значении тока
  3. при отрицательном значении тока
  4. при нулевом значении напряжения
Вопрос 212

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

  1. наличие длительных многократных перегрузок по току
  2. индуктивный характер нагрузки
  3. наличие противонаправленной ЭДС вращения
  4. наличие кратковременных многократных перегрузок по току
Вопрос 213

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

  1. симисторы (триаки)
  2. однооперационные тиристоры
  3. МОП-транзисторы
  4. биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Вопрос 214

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

  1. обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
  2. временные параметры переключения
  3. рабочая температура структуры и допустимая энергия потерь
  4. обеспечение низкого прямого падения напряжения в открытом состоянии
Вопрос 215

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

  1. симметричный режим работы трансформатора
  2. малое количество силовых ключей
  3. простота реализации схем управления
  4. интеллектуальная система управления
Вопрос 216

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются

  1. обратноходовые
  2. импульсно-ходовые
  3. прямоходовые
  4. интервально-ходовые
Вопрос 217

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

  1. обратноходовые
  2. интервально-ходовые
  3. прямоходовые
  4. импульсно-ходовые
Вопрос 218

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

  1. открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
  2. открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
  3. закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
  4. закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
Вопрос 219

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

  1. пониженным до единиц вольта выходным напряжением
  2. пониженным до долей вольта выходным напряжением
  3. синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
  4. асинхронным переключением в такт от низкочастотного входного сигнала
Вопрос 220

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

  1. равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
  2. больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
  3. меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
  4. равно выходному напряжению выпрямителя
Вопрос 221

Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит

  1. трехфазный мостовой инвертор
  2. неуправляемый выпрямитель
  3. емкостной фильтр
  4. полумостовой инвертор
Вопрос 222

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

  1. симисторы (триаки)
  2. тиристорные ключи
  3. IGBT транзисторы
  4. биполярные транзисторы
Вопрос 223

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

  1. прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
  2. прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
  3. обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
  4. обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
Вопрос 224

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

  1. прямо пропорциональна величине напряжения источника питания
  2. обратно пропорциональна величине напряжения источника питания
  3. обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
  4. прямо пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
Вопрос 225

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

  1. форсированию скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа
  2. обеспечению безопасной траектории в режиме включения ключа в рамках заданной ОБР
  3. ограничению скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа
  4. обеспечению безопасной траектории в режиме выключения ключа в рамках заданной ОБР
Вопрос 226

Силовым диодом называется

  1. полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
  2. полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
  3. полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами
  4. полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами
Вопрос 227

Силовой диод содержит

  1. два p-n-перехода
  2. один p-n-переход
  3. три p-n-перехода
  4. один p-n-p-переход
Вопрос 228

Основная функция силового диода

  1. усиление переменного сигнала
  2. выпрямление переменного сигнала
  3. интегрирование переменного сигнала
  4. дифференцирование переменного сигнала
Вопрос 229

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

  1. напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
  2. напряжение на аноде равно напряжению на катоде
  3. напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
  4. напряжения на аноде и катоде отсутствуют
Вопрос 230

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

  1. стремится к бесконечности
  2. меньше нуля
  3. равно нулю
  4. имеет конечную величину
Вопрос 231

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

  1. больше нуля
  2. меньше нуля
  3. стремится к бесконечности
  4. равно нулю
Вопрос 232

Электрический пробой силового диода возникает, когда

  1. обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
  2. обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
  3. обратное напряжение отсутствует
  4. обратное напряжение равно значению установленного порога
Вопрос 233

В режиме лавинного пробоя силового диода

  1. резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
  2. резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
  3. обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения
  4. обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения
Вопрос 234

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

  1. идеальный диод
  2. катушку индуктивности
  3. электрическую батарею
  4. резистор с динамическим сопротивлением
Вопрос 235

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

  1. резко увеличивается
  2. резко уменьшается
  3. равна нулю
  4. увеличивается постепенно
Вопрос 236

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

  1. произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
  2. произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
  3. произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
  4. произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
Вопрос 237

Величина заряда обратного восстановления силового диода

  1. прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
  2. прямо пропорциональна частоте коммутации
  3. обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
  4. прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
Вопрос 238

К параметрам силовых диодов не относятся

  1. статические
  2. динамические
  3. потенциальные
  4. предельно допустимые
Вопрос 239

К статическим параметрам силового диода не относится

  1. пороговое напряжение
  2. динамическое сопротивление
  3. напряжение пробоя
  4. время нарастания прямого тока
Вопрос 240

К предельно допустимым параметрам силового диода относится

  1. импульсное обратное напряжение
  2. напряжение пробоя
  3. время нарастания прямого тока
  4. динамическое сопротивление
Вопрос 241

Динамическими параметрами силового диода являются

  1. среднее значение прямого тока
  2. пороговое напряжение
  3. время нарастания прямого тока
  4. время восстановления обратного напряжения
Вопрос 242

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

  1. 6 В
  2. 600 В
  3. 60 В
  4. 6000 В
Вопрос 243

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

  1. высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
  2. высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
  3. низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
  4. низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
Вопрос 244

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

  1. время обратного восстановления - до 50 мкс
  2. прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
  3. обратное напряжение от 50 до 3000 В
  4. время восстановления обратного сопротивления до 1000нс
Вопрос 245

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

  1. германий
  2. арсенид-галлий
  3. карбидокремний
  4. кремний
Вопрос 246

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

  1. предельное обратное напряжение более 100 В
  2. низкую инерционность прибора
  3. время обратного восстановления не более 0,3 мкс
  4. падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
Вопрос 247

Плоскостные диоды

  1. имеют малую площадь p-n-перехода
  2. используются для выпрямления малых токов
  3. используются для выпрямления больших токов
  4. имеют большую площадь p-n-перехода
Вопрос 248

Точечные диоды

  1. имеют малую площадь p-n-перехода
  2. используются для выпрямления малых токов
  3. используются для выпрямления больших токов
  4. имеют большую площадь p-n-перехода
Вопрос 249

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

  1. до 200 нс
  2. до 10 мкс
  3. до 100 нс
  4. до 100 мкс
Вопрос 250

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

  1. от 25 до 100 мкс
  2. от 1 до 5 мкс
  3. от 25 до 100 нс
  4. от 1 до 5 нс