Электрофизтческие свойства полупроводников.dor_ДО(1 2)_24-157-С Без ИМ

Электрофизтческие свойства полупроводников.dor_ДО(1 2)_24-157-С Без ИМ

Просмотрите все вопросы и варианты бесплатно. Правильные ответы скрыты и открываются только после получения доступа.

9 вопросов Вариант 1 Доступ 7 дней

Содержание теста

Вопросы и варианты

Без отметок и подсказок к правильным ответам

Вопрос 1

Установите соответствие понятий и их содержания:

Инжекция носителей заряда
Экстракция носителей заряда
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках
проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда (электронов или дырок) в полупроводник под действием электрического поля
объединение полупроводника (диэлектрика) носителями заряда благодаря их вытягиванию в контакт с металлом или другим полупроводником
исчезновение пары свободных носителей заряда противоположных знаков в результате перехода электрона из энергетического состояния в зоне проводимости в незанятое энергетическое состояние в валентной зоне

Вопрос 2

… носителей заряда – это процесс образования пар носителей заряда (электронов и дырок) в полупроводниках или диэлектриках

Рекомбинация
Диффузия
Инжекция
Генерация

Вопрос 3

… – это материал, величина проводимости которого находится между значением проводимости проводников (таких как медь) и изоляторов (таких как стекло)

Полупроводник
Полупроводники

Вопрос 4

При разрыве ковалентной связи и освобождения электрона в кристалле остается незаполненная связь – вакансия (или …), которая может быть заполнена электроном из соседней ковалентной связи

дырка

Вопрос 5

… – это процесс, в котором при повышении температуры отдельные электроны атомов кристаллической решетки приобретают энергию, достаточную для освобождения от ковалентных связей, и становятся свободными

Инжекция
Экстракция
Рекомбинация
Термогенерация

Вопрос 6

Установите хронологическую последовательность этапов развития электроники:

этап использования электронных устройств на электровакуумных приборах, таких как катодные или электронные лампы
этап использования полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов и др.) в качестве отдельных, самостоятельных элементов, из которых собирали электронные устройства
этап использования интегральных микросхем

Вопрос 7

… прибор – это прибор, в котором ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике

Электронный

Вопрос 8

В последней четверти XX в. появились … микросхемы, которые стали основой для многих электронных устройств; они представляют собой пластину полупроводника с множеством транзисторов и других элементов электрических цепей

интегральные

Вопрос 9

… – это один из основных полупроводниковых материалов, который применялся для создания первых транзисторов в конце 1940-х – начале 1950-х гг., но впоследствии был заменен кремнием, на котором практически полностью основана современная технология интегральных схем

Иттрий
Германий
Церий
Ванадий